氧化锌厂新发现，因为N受主和反响施主共掺杂之间的激烈效果，氮和反响施主的共掺杂会下降其在能带中的受主能级方位。DOS（态密度）峰向价带顶的移动暗示着受主能级的下降。和作为受主的Li共掺杂或者和作为活性施主的F共掺杂，能够制备低电阻率的P型氧化锌。活性氧化锌
氧化锌厂对ZnO中Ga和N溶解度限制的研讨标明，比较于N掺杂的ZnO，氮在共掺杂ZnO中的溶解度能够增强400倍（by a factor of）。运用共掺杂法，Joseph等[463]运用带有等离子源的PLD体系成功制备了所谓的P型氧化锌薄膜。关于Ga和N的共掺杂，已然N2O能既能有效按捺氧空位，一起又能引进氮作为受主。Hall 和Seebeck系数测量法验证了它的P型导电功能，电阻率为0.5Ωcm，载流子浓度为5×1019 cm?3，和很低的载流子迁移率0.07 cm2 /V s。这么低的载流子迁移率让我们对P型导电性发生置疑。它也标明在共掺杂技能中，非平衡态生长进程时必需要低温。虽然在共掺杂的氧化锌薄膜中观察到了P型导电功能，但因为缺少表征，例如共掺杂中Ga和N在禁带中的施主和受主能级方位，所以P型特征的来历并不明白。
